Твердотельный накопитель NVMe PCIe Gen3 M.2 2280 Твердотельный накопитель NVMe PCIe Gen3 M.2 2280

Твердотельный накопитель OSCOO ON900 M.2 2280 NVMe PCIe Gen3.0*4 с поддержкой NVMe 1.3 и оснащен флэш-памятью 3D NAND. Обеспечивает высокую скорость передачи данных, что делает его подходящим для высокопроизводительных вычислений и приложений хранения данных.

Пассажировместимость:
  • 128GB
  • 256GB
  • 512GB
  • 1TB
Интерфейс:
  • NVMe PCIe Gen3.0*4
Скорость чтения:
  • До 2100MB / s
Скорость письма:
  • До 1800MB / s
Габаритные размеры:
  • 80 * 22 * 3.5мм
Пассажировместимость:
  • 128GB / 256GB / 512GB / 1TB
Набор микросхем:
  • 3D TLC Nand Flash
Рабочая Температура:
  • 0 ~ 70 ° С
Температура хранения:
  • -45 ~ 85 ° С
Поддержка функций:
  • TRIM, NCQ и S.M.A.R.T.
Система поддержки:
  • Windows 11, Windows 10, Windows 8.1, Windows 8, Windows 7, Mac OS X, Linux
Поделиться:

Твердотельный накопитель OSCOO M.2 2280 NVME PCIe3.0

Повысьте производительность, превосходящую все ожидания

Создан для повышения качества работы вашего ПК за счет более быстрой загрузки и скорости передачи данных от загрузки до выключения. Твердотельный накопитель (SSD) OSCOO ON900 M.2 2280 PCIe Gen3x4 NVME позволит вам выйти на скоростную вычислительную линию со скоростью чтения до 2100 МБ/с и записи до 1800 МБ/с. Он поддерживается стандартом технологии PCIe Gen3x4 NVME 1.3 и оснащен флэш-памятью 3D TLC NAND.

Спецификация M.2 2280 идеально совместима с ПК и ноутбуком, имеет отличные характеристики: низкое энергопотребление, низкое тепловыделение, нулевой уровень шума и ударопрочность.

Ощутите скорость, надежность и эффективность, адаптированные к требованиям современных вычислений. Улучшите свои возможности работы с компьютером — это больше, чем просто хранилище, это инновации в каждом байте.

  • PCIe 3.0*4 NVMe, высокопроизводительный

  • Обновление с полной емкостью до 1 ТБ

  • Компактный форм-фактор M.2 2280

  • Низкопрофильный теплораспределитель из графена и алюминия

Характеристики

Название модели ON900
Форм-фактор M.2 2280
Интерфейс NVMe PCIe Gen3.0*4
Место для проведения 128 ГБ|256 ГБ|512 ГБ|1 ТБ
контроллер SMI
NAND 3D TLC
Всего записано байт (TBW) 128 ГБ–76 ТБ
256 ГБ–152 ТБ
512 ГБ–304 ТБ
1ТБ-608ТБВт
×

Свяжитесь с нами

CAPTCHA,
×

спрашивать

*Имя
*Эл. адрес
Название компании
Телефон:
*Сообщение

Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь с нашими политике конфиденциальности Условия и положения.

Я согласен